Innovazione tecnologica transistor: la nuova tecnologia può aumentare la capacità di raffreddamento di più di due volte!
Con la crescente miniaturizzazione dei dispositivi a semiconduttore, sono emersi problemi come l'aumento della densità di potenza e la generazione di calore, il che può influire sulle prestazioni, l'affidabilità e la durata della vita di questi dispositivi. Il nitruro di gallio (GAN) su diamante presenta prospettive promettenti come materiale a semiconduttore di prossima generazione, poiché entrambi i materiali hanno ampi gap di banda che consentono un'elevata conducibilità e un'elevata conduttività termica del diamante, posizionandoli come eccellenti substrati di dissipazione del calore.
Secondo i rapporti, un team di ricerca della Osaka Metropolitan University ha usato Diamond, il materiale naturale più conduttivo sulla Terra, come substrato per creare transistor di nitruro di gallio (GAN), che hanno più del doppio della capacità di dissipazione del calore dei transistor tradizionali. Nelle ultime ricerche, gli scienziati dell'Università pubblica di Osaka hanno prodotto con successo i transistor Gan High Electron Mobility utilizzando Diamond come substrato. Le prestazioni di dissipazione del calore di questa nuova tecnologia sono più del doppio di quelli dei transistor di forma simili prodotti su substrati di carburo di silicio (SIC). Riduce in modo significativo la resistenza termica dell'interfaccia e migliora le prestazioni di dissipazione del calore.
