La nuova tecnologia di dissipazione del calore dei semiconduttori migliora la dissipazione del calore del 25%
Secondo alcuni rapporti, gli ingegneri sudcoreani hanno scoperto una nuova modalità di trasferimento del calore utilizzando i polaritoni plasmonici superficiali (SPP), realizzando un significativo passo avanti nella gestione termica dei semiconduttori. Questo nuovo metodo aumenta la dissipazione del calore del 25%, il che è fondamentale per risolvere il problema del surriscaldamento dei piccoli dispositivi a semiconduttore.
La necessità di ridurre le dimensioni dei semiconduttori, unita al problema della mancata dispersione efficace del calore generato nei punti caldi dei dispositivi, ha avuto un impatto negativo sull’affidabilità e sulla durata dei dispositivi moderni. La tecnologia di gestione termica esistente non è ancora competente per questo compito. Pertanto, la scoperta di un nuovo metodo per utilizzare le onde superficiali generate da pellicole metalliche su substrati per dissipare il calore è davvero un importante passo avanti.
SPP si riferisce all'onda superficiale formata dalla forte interazione tra il campo elettromagnetico all'interfaccia tra il dielettrico e il metallo, nonché gli elettroni liberi e simili particelle vibranti collettive sulla superficie metallica. Nello specifico, il gruppo di ricerca ha utilizzato l'SPP (onde superficiali generate nell'interfaccia dielettrica metallica) per migliorare la diffusione termica delle pellicole metalliche su scala nanometrica. Dato che questa nuova modalità di trasferimento del calore avviene quando si depositano sottili pellicole metalliche sul substrato, è molto utile nel processo di fabbricazione dei dispositivi e presenta il vantaggio di poter essere prodotta su larga scala.
Questo risultato ha implicazioni significative per lo sviluppo futuro di dispositivi a semiconduttore ad alte prestazioni, poiché può essere applicato alla rapida dissipazione del calore su film sottili su scala nanometrica. In particolare, si prevede che la nuova modalità di trasferimento del calore scoperta dal gruppo di ricerca risolverà il problema di base della gestione termica nei dispositivi a semiconduttore, poiché può ottenere un trasferimento di calore più efficace su spessori su scala nanometrica e la conduttività termica dei film sottili è solitamente ridotta a causa di effetti di diffusione dei confini.
